Im Rahmen dieser Arbeit werden HfO_2und ZrO_2basierte hoch-varepsilon_rMaterialsysteme mit ihrer jeweiligen Anwendung als Gateoxid bzw. DRAM Isolalationsschicht untersucht. Es werden alternative dielektrische Schichten für Speicherkondensatoren diskutiert und Alternativen zum ZrO_2/Al_2O_3/ZrO_2(ZAZ) Schichtstapel untersucht. Neben ZAZ, wurden Schichtstapel mit SrO oder Sc_2O_3Zwischenschicht abgeschieden und strukturell und elektrisch charakterisiert. Weiterhin wurden die abgeschiedenen Schichten hinsichtlich ihres dielektrischen Absorptionsverhalten sowie ihres Durchbruchsverhalten geprüft und verglichen. Ein weiterer Schwerpunkt ist das statische und dynamische Verhalten des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs. Als Alternative zum DRAM Konzept wird die ferroelektrische Eigenschaft von dotierten HfO_2und dessen Einsatz als ferroelektrischer RAM vorgestellt. Bei diesem Konzept wird das paraelektrische Dielektrikum eines DRAMs durch das ferroelektrische Material ersetzt. Des Weiteren wurde im Rahmen dieser Arbeit HfO_2als hoch-varepsilon_rDielektrikum für Transistoren mit metallischem Gate (HKMG) untersucht. Mittels temperaturabhängigen Leckstrommessungen wird der dominante Leistungsmechanismus untersucht. Wie im vorangegangenen Teil der Arbeit wird das dielektrische Absorptionsverhalten studiert. Auch für HKMG Transistoren wird der zeitabhängige dielektrische Durchbruch bei alternierendem elektrischem Stress und die Rolle von Defekten in Form von Sauerstofffehlstellen beleuchtet.
Aktualisiert: 2023-05-15
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Zielsetzung:
Die vorliegende Untersuchung „Unterschiede in klinischen Überlebensraten zwischen implantatgetragenen und zahngetragenen Zirkondioxidkronen über einen Beobachtungszeitraum von 10 Jahren: Eine retrospektive Analyse“ beschäftigt sich mit der systematischen Erfassung des Auftretens von Chipping von Zirkondioxidkronen in Abhängigkeit vom Kronenpfeiler (Zahnstumpf oder Implantat).
Methodik:
Von 344 Patienten, erhielten 243 implantatgetragene und 10 zahngetragene Zirkondioxidkronen. Die Einschlusskriterien waren Einzelzahnkronen aus Zirkondioxid, manuelle Abformungen, Gipsmodelle, individualisierte Titanabutments, verblendete Zirkondioxidkronen, keine verblockten Kronen. Die Kronen wurden alle zementiert. Es wurde nur eine Krone pro Patient untersucht. Die statistische Power lag bei dieser Untersuchung bei durchschnittlich 80%. Als Signifikanzniveau wurde p <0,05 gewählt.
Ergebnisse:
Die Untersuchung zeigte an 16,1 % der zahngetragenen und an 15,7 % der implantatgetragenen Zirkondioxidkronen allgemeine Komplikationen. Im Durchschnitt vergingen 117,3 Monate bis die ersten Komplikationen auftraten. An 4,0 % der zahngetragenen Kronen traten nach 128,4 Monaten und an 8,2 % der implantatgetragenen Kronen nach 121,4 Monaten erste Komplikationen auf. Chipping trat an implantatgetragenen Zirkondioxidkronen statistisch signifikant früher auf als an zahngetragenen Zirkondioxidkronen. Implantatgetragene Zirkondioxidkronen, welche zwei implantatgetragene Kronen als Gegenzähne haben, zeigten die schlechtesten Überlebenswerte. Die Komplikation Chipping trat am häufigsten bei Zirkondioxidkronen auf Implantaten auf, welche zwei implantatgetragene Kronen als Gegenzähne aufwiesen (14,4 %).
Schlussfolgerung:
Die Resultate dieser Arbeit ergeben in Übereinstimmung mit der aktuellen Literatur, dass Chipping an Zirkondioxidkronen auf Implantaten häufiger und statistisch signifikant früher auftritt als Chipping an Zirkondioxidkronen auf natürlichen Zähnen.
Aktualisiert: 2021-12-30
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Aufgrund der zahnähnlichen Farben, dem hohen Automatisierungsgrad der Prozesskette, der hohen Variantenvielfalt an günstigeren Materialien und dem Trend zur Einzelzahnversorgung gewinnt die Herstellung eines vollanatomischen Zahnersatzes aus Zirkondioxid zunehmend an Bedeutung. Bereits heute werden 70 % des Zahnersatzes aus Zirkon in mittelständigen dentalen Laboren hergestellt. Die hohe Variantenanzahl an unterschiedlichen Materialmischungen von Zirkondioxid, Fräswerkzeugen und Dentalmaschinen stellen zunehmend große Herausforderungen für die gleichbleibende Qualität und Reproduzierbarkeit von dentalen Indikationen dar. Dabei zieht jede Änderung der bekannten Größen aus der Kombination Material-Werkzeug-Maschine eine Anpassung technologischer Prozessparameter und eine Änderung der Kostenstruktur nach sich. Die Prozessparameter werden in einem iterativen und manuellen Arbeitsprozess nach jedem Wechsel neu eingestellt. Als besonders herausfordernd stellen sich hierbei das Erreichen hoher Oberflächenqualitäten und die Vermeidung von Materialabplatzungen im Werkstoff dar.
In Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde zunächst experimentell ein Fräswerkzeug für die Bearbeitung von Zirkon im sogenannten „grünen“ Zustand entwickelt. Basierend auf empirischen Modellen zur Berechnung des Vorschubstandweges, der Oberflächenrauheit und der Materialabplatzungen wurden die Effekte und Wechselwirkungen der einzelnen Einflussgrößen ermittelt. Anschließend wurde ein Optimierungsalgorithmus implementiert, der es Dentaltechnikern ermöglicht, eine rechnerunterstütze automatisierte Prozessoptimierung durchzuführen. Die Arbeit schließt mit einer Analyse der Kostenstruktur ab. Hierbei wurden Kosteneinsparpotenziale exemplarisch aufgezeigt.
Aktualisiert: 2020-07-13
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Im Rahmen dieser Arbeit werden HfO_2und ZrO_2basierte hoch-varepsilon_rMaterialsysteme mit ihrer jeweiligen Anwendung als Gateoxid bzw. DRAM Isolalationsschicht untersucht. Es werden alternative dielektrische Schichten für Speicherkondensatoren diskutiert und Alternativen zum ZrO_2/Al_2O_3/ZrO_2(ZAZ) Schichtstapel untersucht. Neben ZAZ, wurden Schichtstapel mit SrO oder Sc_2O_3Zwischenschicht abgeschieden und strukturell und elektrisch charakterisiert. Weiterhin wurden die abgeschiedenen Schichten hinsichtlich ihres dielektrischen Absorptionsverhalten sowie ihres Durchbruchsverhalten geprüft und verglichen. Ein weiterer Schwerpunkt ist das statische und dynamische Verhalten des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs. Als Alternative zum DRAM Konzept wird die ferroelektrische Eigenschaft von dotierten HfO_2und dessen Einsatz als ferroelektrischer RAM vorgestellt. Bei diesem Konzept wird das paraelektrische Dielektrikum eines DRAMs durch das ferroelektrische Material ersetzt. Des Weiteren wurde im Rahmen dieser Arbeit HfO_2als hoch-varepsilon_rDielektrikum für Transistoren mit metallischem Gate (HKMG) untersucht. Mittels temperaturabhängigen Leckstrommessungen wird der dominante Leistungsmechanismus untersucht. Wie im vorangegangenen Teil der Arbeit wird das dielektrische Absorptionsverhalten studiert. Auch für HKMG Transistoren wird der zeitabhängige dielektrische Durchbruch bei alternierendem elektrischem Stress und die Rolle von Defekten in Form von Sauerstofffehlstellen beleuchtet.
Aktualisiert: 2023-04-17
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