Beim CMP-Prozess in der Halbleiterfertigung ist das Erreichen globaler Planarität von herausragender Bedeutung. Die Planarisierungsleistung wird auch von den zu planarisierenden Strukturen selbst beeinflusst. Ihre Topographie innerhalb eines Chips führt zu langreichweitigen Wechselwirkungen. Die globale Planarität hängt somit vom Chiplayout ab. Zum besseren Verständnis dieser Abhängigkeiten gibt es CMP-Modelle auf der Chipskala, die bei der Prozessentwicklung und beim fertigungsgerechten Entwurf unterstützen. Der modellseitige Parameter der die Planarisierungsleistung kennzeichnet ist die Wechselwirkungslänge. Die neu entwickelten Modelle dieser Arbeit, das Global-Höhen- und das Rauheit-Höhen-Modell, zeigen ihre Verbesserungen in der besseren Beschreibung der langreichweitigen Wechselwirkungen. Sie berücksichtigen die nach der Abscheidung vorhandene und auch die sich durch den Prozessverlauf ändernde Topographie besser. Um Zusammenhänge zwischen globaler Planarität und Prozessbedingungen zu zeigen, wurden die Auswirkungen verschiedener CMP-Pads auf die Planarisierungsleistung untersucht. Als Ausblick wurde die Nutzbarmachung der Modelle für zum Druck nichtlineare Prozesse gezeigt.
Aktualisiert: 2023-06-01
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Dieses Buch spannt einen Bogen von den Defekten bei der Halbleiterfertigung über die klassischen Testmethoden hin zu Selbsttestverfahren und den neuesten Forschungsarbeiten, die auf eine Integration von Entwurf und Test zielen und aus Verhaltensbeschreibungen automatisch gut testbare Schaltungen synthetisieren.
Aktualisiert: 2023-03-14
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Beim CMP-Prozess in der Halbleiterfertigung ist das Erreichen globaler Planarität von herausragender Bedeutung. Die Planarisierungsleistung wird auch von den zu planarisierenden Strukturen selbst beeinflusst. Ihre Topographie innerhalb eines Chips führt zu langreichweitigen Wechselwirkungen. Die globale Planarität hängt somit vom Chiplayout ab. Zum besseren Verständnis dieser Abhängigkeiten gibt es CMP-Modelle auf der Chipskala, die bei der Prozessentwicklung und beim fertigungsgerechten Entwurf unterstützen. Der modellseitige Parameter der die Planarisierungsleistung kennzeichnet ist die Wechselwirkungslänge. Die neu entwickelten Modelle dieser Arbeit, das Global-Höhen- und das Rauheit-Höhen-Modell, zeigen ihre Verbesserungen in der besseren Beschreibung der langreichweitigen Wechselwirkungen. Sie berücksichtigen die nach der Abscheidung vorhandene und auch die sich durch den Prozessverlauf ändernde Topographie besser. Um Zusammenhänge zwischen globaler Planarität und Prozessbedingungen zu zeigen, wurden die Auswirkungen verschiedener CMP-Pads auf die Planarisierungsleistung untersucht. Als Ausblick wurde die Nutzbarmachung der Modelle für zum Druck nichtlineare Prozesse gezeigt.
Aktualisiert: 2023-03-31
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Die Rückführungslogistik wird in den kommenden Jahren an Relevanz gewinnen. Dies liegt zum einen an der langfristigen Rohstoffentwicklung und zum anderen an der Möglichkeit, Primärrohstoffe durch Sekundärrohstoffe zu substituieren. Der Bereich der Rückführungslogistik unterliegt in der Materialrückführung starken dynamischen Schwankungen, welche die Disposition der Sekundärrohstoffproduktion negativ beeinflussen.Ein multiagentenbasiertes, dynamisches Dispositionsmodell kann Abhilfe schaffen. Gegenstand des Buches ist die Darstellung einer Herangehens- und Vorgehensweise zu dieser Problematik, welche Handlungsempfehlungen für Unternehmen generieren soll.
Aktualisiert: 2022-08-31
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Dieses Buch spannt einen Bogen von den Defekten bei der Halbleiterfertigung über die klassischen Testmethoden hin zu Selbsttestverfahren und den neuesten Forschungsarbeiten, die auf eine Integration von Entwurf und Test zielen und aus Verhaltensbeschreibungen automatisch gut testbare Schaltungen synthetisieren.
Aktualisiert: 2023-04-04
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