Ternäre und quaternäre Barrierenmaterialien für nitridische Heterostruktur-Feldeffekttransistoren.

Ternäre und quaternäre Barrierenmaterialien für nitridische Heterostruktur-Feldeffekttransistoren. von Ambacher,  Oliver, Lim,  Taek
Diese Arbeit behandelt die Entwicklung von GaN-basierten Heterostruktur-Feldeffekttransistoren mit gitterangepasster Barriere für leistungselektronische Anwendungen. Es werden neuartige Strukturen vorgestellt, die eine quaternäre (Al,Ga,In)N-Barriere optimierter Zusammensetzung mit einem AlN/GaN/AlN-Abstandshalter kombinieren. Auf Basis der neuen Heterostrukturen werden Bauelemente und monolithische Verstärkerschaltungen realisiert.
Aktualisiert: 2022-09-12
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